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            PVD設備

            物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition),指將材料源表面氣化并通過低壓氣體/等離子體在基體表面沉積,包括蒸發、濺射、離子束等。
            利用物理過程實現物質轉移,將原子或分子由源轉移到基材表面上的制備設備

            PVD鍍膜優點

            服務特色

            簡單

            原理簡單,無化學反應參與制備,僅包括分子或原子的物質轉移。

            服務特色

            可控

            可以通過溫度,角度,距離、功率等多種途徑控制沉積速率和薄膜厚度。

            服務特色

            安全

            鍍膜過程中,無有毒有害、易燃易爆氣體參與制備。

            磁控濺射鍍膜系統

            磁控濺射可以制備低維度、納米薄膜材料器件的必備實驗手段,廣泛用用于集成電路,光子晶體,低維半導體等領域。

            高真空磁控濺射薄膜沉積系統--PVD400
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            高真空磁控濺射薄膜沉積系統--PVD500
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            SMART磁控濺射薄膜沉積系統
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            線列式磁控濺射系統
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            高真空磁控濺射薄膜沉積系統--TRP450
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            高真空磁控濺射薄膜沉積系統--JGP560
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            激光鍍膜設備

            激光鍍膜是將脈沖激光透過合成選擇性波長石英窗導入真空腔內照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的Plasma狀等離子體狀態,然后被堆積到設在對面的樣品基板上而成膜。

            激光鍍膜方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩定狀態的組成和構造的人工合成新材料,用于制備超導薄膜,半導體薄膜,鐵電薄膜,超硬薄膜等。

            高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統--PLD300
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            高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統--PLD450
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            超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統--LMBE450
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            蒸發鍍膜設備

            蒸發鍍膜是在真空室中加熱蒸發容器,使其內部的原材料以原子或分子形式從表面氣化逸出,形成蒸氣流到對面的樣品(稱為襯底或基片)表面凝結形成固態薄膜。

            高真空有機及熱阻蒸發薄膜沉積系統--DZ350
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            高真空熱阻蒸發薄膜沉積系統--DZ450
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            SMART蒸發薄膜沉積系統
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            電子束蒸發鍍膜設備

            電子束蒸發源的能量可高度集中,使鍍膜材料局部達到高溫而蒸發,通過調節電子束的功率,可以方便的控制鍍膜材料的蒸發速率,特別是有利于高熔點以及高純金屬和化合物材料。

            高真空電子束及熱阻蒸發薄膜沉積系統--DZS500
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            高真空電子束蒸發薄膜沉積系統--EB900
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            高真空電子束蒸發薄膜沉積系統--EB700
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            MBE分子束外延

            MBE分子束外延
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